HMDS專用烘箱，HMDS真空涂膠系統適用行業：MEMS、濾波、放大、功率等器件，晶圓、玻璃、貴金屬，SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO（氧化鋅）、GaO（氧化鎵）、金剛石等第三代半導體材料。
HMDS專用烘箱，HMDS真空涂膠系統性能：
涂布方式：氣相沉積
使用溫度：RT+50-200℃
真空度：≤1torr
設備材質：內箱采用316L醫用不銹鋼
運行方式：一鍵運行，自動完成工藝處理，并有結束提示音
尺寸大小：450*450*450mm
兼容性：2-12寸晶圓及方片等
儲液瓶：HMDS儲液量1000ml
真空泵：進口干式真空泵
數據處理：多個工藝配方存儲，使用數據記錄
保護裝置：低液位報警，HMDS藥液泄漏報警，超溫保護并斷開加熱，漏電保護等
HMDS專用烘箱，HMDS真空涂膠系統適用行業
MEMS、濾波、放大、功率等器件，晶圓、玻璃、貴金屬，SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO（氧化鋅）、GaO（氧化鎵）、金剛石等第三代半導體材料。
SiC碳化硅（HMDS預處理系統）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
碳化硅原材料核心優勢體現在：
（1）耐高壓：更低的阻抗、更寬的禁帶寬度，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產品設計和更高的效率；
（2）耐高頻：SiC器件在關斷過程中不存在電流拖尾現象，能有效提高元件的開關速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關速度；
（3）耐高溫：SiC相較硅擁有更高的熱導率，能在更高溫度下工作。
相比傳統的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。
碳化硅晶片應用于肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等，主要用于電動汽車、光伏發電、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設，主要用于5G通信、車載通信、國防應用、數據傳輸、航空航天。
